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IRFHM830TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IRFHM830TRPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRFHM830TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFHM830TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFHM830TRPBF |
Description | MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) Montage en surface 8-PQFN-Dual (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFHM830TRPBF Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 50µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2155 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 2,7W (Ta), 37W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur 8-PQFN-Dual (3,3x3,3) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,8mohms à 20A, 10V |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 19 | BSZ100N03MSGATMA1CT-ND | 1,56000 $ | Recommandation fabricant |
| DMTH3004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMTH3004LPSQ-13-ND | 0,77222 $ | Similaire |
| RS1E200GNTB | Rohm Semiconductor | 2 252 | RS1E200GNTBCT-ND | 2,03000 $ | Similaire |
| STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | 3 846 | 497-11099-1-ND | 2,33000 $ | Similaire |
Obsolète
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