Name: RJ1N10BBHTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1N10BBHTL1TR-ND
Price: 11.21 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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RJ1N10BBHTL1
Numéro de produit DigiKey	846-RJ1N10BBHTL1TR-ND - Bande et bobine 846-RJ1N10BBHTL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RJ1N10BBHTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RJ1N10BBHTL1
Description	NCH 80V 235A, TO-263AB, POWER MO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 105 A (Tc) 189W (Tc) Montage en surface TO-263AB
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	105 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11800 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	189W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263AB
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB