Canal N 600 V 30 A (Tc) 86W (Tc) Trou traversant TO-220FM
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Canal N 600 V 30 A (Tc) 86W (Tc) Trou traversant TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6030KNX

Numéro de produit DigiKey
R6030KNX-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
R6030KNX
Description
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 30 A (Tc) 86W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6030KNX Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
56 nC @ 10 V
Conditionnement
En vrac
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2350 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
86W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
130mohms à 14,5A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPA60R125C6XKSA1Infineon Technologies347448-IPA60R125C6XKSA1-ND8,82000 $Similaire
IPA60R125P6XKSA1Infineon Technologies0IPA60R125P6XKSA1-ND6,99000 $Similaire
IXFP34N65X2MIXYS299IXFP34N65X2M-ND14,25000 $Similaire
TK25A60X5,S5XToshiba Semiconductor and Storage1TK25A60X5S5X-ND8,44000 $Similaire
TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage50TK28A65WS5X-ND9,61000 $Similaire
En stock: 358
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Tous les prix sont en CAD
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
17,41000 $7,41 $
104,91300 $49,13 $
1003,49260 $349,26 $