Name: R6018JNJGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6018JNJGTLTR-ND
Price: 7.71 CAD
Availability: InStock

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R6018JNJGTL
Numéro de produit DigiKey	R6018JNJGTLTR-ND - Bande et bobine R6018JNJGTLCT-ND - Bande coupée (CT) R6018JNJGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6018JNJGTL
Description	MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 18 A (Tc) 220W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	286 mohms à 9A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	7V à 4,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 15 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1300 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	220W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LPTS
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	R6018