Name: R6015FNJTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6015FNJTLTR-ND
Price: 2.66075 CAD
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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R6015FNJTL
Numéro de produit DigiKey	846-R6015FNJTLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6015FNJTL
Description	MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 15 A (Tc) 255W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	R6015FNJTL Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	350mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1660 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	255W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LPTS
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	R6015

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande et bobine