Canal N 55 V 49 A (Tc) 128W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
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HUFA75329S3ST

Numéro de produit DigiKey
2156-HUFA75329S3ST-FSTR-ND
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
HUFA75329S3ST
Description
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 49 A (Tc) 128W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Série
UltraFET™
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
49 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
24mohms à 49A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1060 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
128W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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