Canal N 800 V 1,6 A (Tc) 27,8W (Tc) Trou traversant IPAK
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FCU4300N80Z

Numéro de produit DigiKey
2156-FCU4300N80Z-ND
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
FCU4300N80Z
Description
MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 1,6 A (Tc) 27,8W (Tc) Trou traversant IPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FCU4300N80Z Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Série
SuperFET® II
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,3ohms à 800mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 160µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
355 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
27,8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
IPAK
Boîtier
TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
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Non annulable/Non remboursable
PRODUIT MARKETPLACE
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