TO-220AB
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TP65H070G4PS

Numéro de produit DigiKey
1707-TP65H070G4PS-ND
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
TP65H070G4PS
Description
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
SuperGaN®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
85mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,7V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
638 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 1 141
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
114,65000 $14,65 $
508,11820 $405,91 $
1007,48880 $748,88 $
5006,70710 $3 353,55 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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