TP65H070G4LSGB-TR
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TP65H070G4LSGB-TR

Numéro de produit DigiKey
1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND - Bande et bobine
1707-TP65H070G4LSGB-TRCT-ND - Bande coupée (CT)
1707-TP65H070G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
TP65H070G4LSGB-TR
Description
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (8x8)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
SuperGaN®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
85mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,6V à 700µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
600 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-PQFN (8x8)
Boîtier
8-PowerTDFN
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 2 474
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
117,35000 $17,35 $
1012,04000 $120,40 $
10010,23910 $1 023,91 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0008,36524 $25 095,72 $
Conditionnement standard du fabricant
Les composants suivants peuvent vous intéresserAfficher tout
10 Articles
TP65H070G4QS-TR

TP65H070G4QS-TR

650 V 29 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

14,59000 $
TP65H150BG4JSG-TR

TP65H150BG4JSG-TR

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Renesas Electronics Corporation

7,51000 $
TP65H070G4LSG-TR

TP65H070G4LSG-TR

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Renesas Electronics Corporation

15,87000 $
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

48,07000 $
WI71060TR

WI71060TR

POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN

Wise-Integration

8,93000 $
CDFG6558N TR13 PBFREE

CDFG6558N TR13 PBFREE

GANFET N-CH 650V 29A 8DFN

Central Semiconductor Corp

16,22000 $
CGD65A055SH2

CGD65A055SH2

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

18,78000 $
TP65H070G4PS

TP65H070G4PS

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Renesas Electronics Corporation

14,65000 $
TP65H050G4BS

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

21,43000 $
IGLD65R080D2AUMA1

IGLD65R080D2AUMA1

HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies

8,47000 $