NVTFS5811NLTWG est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Prix unitaire : 2,83000 $
Fiche technique
Canal N 40 V 16 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVTFS5811NLTWG

Numéro de produit DigiKey
NVTFS5811NLTWG-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NVTFS5811NLTWG
Description
MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 16 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NVTFS5811NLTWG Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 10 V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1570 pF @ 25 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
3,2W (Ta), 21W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Grade
Automobile
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Qualification
AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Type de montage
Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Boîtier fournisseur
8-WDFN (3,3x3,3)
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,7mohms à 20A, 10V
Boîtier
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
RH6G040BGTB1Rohm Semiconductor0846-RH6G040BGTB1CT-ND4,16000 $Similaire
RQ3G150GNTBRohm Semiconductor5 684RQ3G150GNTBCT-ND2,83000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.