Name: NVBG022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG022N120M3STR-ND
Price: 44.63 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVBG022N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NVBG022N120M3STR-ND - Bande et bobine 5556-NVBG022N120M3SCT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NVBG022N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVBG022N120M3S
Description	SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 58 A (Tc) 234W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 148 nC @ 18 V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3200 pF @ 800 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 234W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Rds On (max.) à Id, Vgs 30mohms à 40A, 18V	Numéro de produit de base NVBG022
Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 20mA