Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 59.65 CAD
Availability: InStock

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AIMBG120R010M1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMBG120R010M1XTMA1
Description	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 205 A (Tc) 882W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AIMBG120R010M1XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	205 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,3mohms à 93A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 30mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	178 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5703 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	882W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	AIMBG120