Canal N 20 V 3,3 A (Ta) 770mW (Ta) Montage en surface 8-SOIC
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NTMS4N01R2G

Numéro de produit DigiKey
NTMS4N01R2GOS-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTMS4N01R2G
Description
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 3,3 A (Ta) 770mW (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTMS4N01R2G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
40mohms à 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1200 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
770mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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