3,3 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	65 656 En stock	1 : 0,52000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10841 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mohms à 4,2A, 10V	1,3V à 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP4047LFDE-7 MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN Diodes Incorporated	86 801 En stock	1 : 1,18000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,27160 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	33mohms à 4,4A, 10V	2,2V à 250µA	23.2 nC @ 10 V	±20V	1382 pF @ 20 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	U-DFN2020-6 (Type E)	6-PowerUDFN
NTJS4151PT1G MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 onsemi	28 745 En stock	1 : 0,82000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,18364 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	60mohms à 3,3A, 4,5V	1,2V à 250µA	10 nC @ 4.5 V	±12V	850 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SC-88/SC70-6/SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SI8472DB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	6 072 En stock	1 : 1,18000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,28230 $ Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	44mohms à 1,5A, 4,5V	900mV à 250µA	18 nC @ 8 V	±8V	630 pF @ 10 V	-	780mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	4-MICRO FOOT® (1x1)	4-UFBGA
DMP3165L-13 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Diodes Incorporated	9 850 En stock 50 000 Usine	1 : 0,58000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,10302 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mohms à 2,7A, 10V	2,1V à 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3165LQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	3 212 En stock	1 : 0,62000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12772 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mohms à 2,7A, 10V	2,1V à 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3165L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T&R Diodes Incorporated	3 000 En stock	1 : 0,58000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12198 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mohms à 2,7A, 10V	2,1V à 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2100UDM-7 MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 Diodes Incorporated	4 217 En stock	1 : 1,02000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,22587 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	55mohms à 6A, 4,5V	1V à 250µA	-	±8V	555 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-26	SOT-23-6
FDMA86151L MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET onsemi	9 628 En stock	1 : 2,72000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,73752 $ Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	88mohms à 3,3A, 10V	3V à 250µA	7.3 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 50 V	-	2,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-MicroFET (2x2)	6-WDFN plot exposé
SI2301ADS-EV P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F EVVO	2 923 En stock	1 : 0,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05570 $ Bande et bobine	-	Bande coupée (CT)	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	70mohms à 3A, 4,5V	1V à 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±12V	503 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301DS-EV P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F EVVO	1 289 En stock	1 : 0,27000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05570 $ Bande et bobine	-	Bande coupée (CT)	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	70mohms à 3A, 4,5V	1V à 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±12V	503 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
GSFR0603 MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60 Good-Ark Semiconductor	12 127 En stock	1 : 0,32000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12639 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT)	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	96mohms à 2A, 10V	2,5V à 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1080 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6L	SOT-23-6
FDFMA3P029Z MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET onsemi	15 000 Marketplace	Non disponible Non disponible dans la devise sélectionnée	PowerTrench®	Bande et bobine	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	-	87mohms à 3,3A, 10V	3V à 250µA	10 nC @ 10 V	-	435 pF @ 15 V	Diode Schottky (isolée)	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-MLP (2x2)	6-WDFN plot exposé
NTHS4111PT1G MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET onsemi	0 En stock 2 177 Marketplace	3 000 : 0,56639 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine En vrac	Obsolète	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	45mohms à 4,4A, 10V	3V à 250µA	28 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 24 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	ChipFET™	8-SMD, broches plates
NTMD4884NFR2G MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC onsemi	0 En stock 43 322 Marketplace	Obsolète	-	Bande et bobine En vrac	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	48mohms à 4A, 10V	2,5V à 250µA	4.2 nC @ 4.5 V	±20V	360 pF @ 15 V	Diode Schottky (isolée)	770mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
NTMS4N01R2G MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC onsemi	0 En stock 4 168 Marketplace	Obsolète	-	Bande et bobine En vrac	Obsolète	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	40mohms à 4,2A, 4,5V	1,2V à 250µA	16 nC @ 4.5 V	±10V	1200 pF @ 10 V	-	770mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDFMA3P029Z MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET Fairchild Semiconductor	2 319 Marketplace	Non disponible Non disponible dans la devise sélectionnée	PowerTrench®	En vrac	Obsolète	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	-	87mohms à 3,3A, 10V	3V à 250µA	10 nC @ 10 V	-	435 pF @ 15 V	Diode Schottky (isolée)	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-MLP (2x2)	6-WDFN plot exposé
FDFS2P102 MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor	14 802 Marketplace	Non disponible Non disponible dans la devise sélectionnée	-	En vrac	Obsolète	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mohms à 3,3A, 10V	2V à 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 10 V	Diode Schottky (isolée)	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDFS2P102A MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor	185 654 Marketplace	Non disponible Non disponible dans la devise sélectionnée	PowerTrench®	En vrac	Obsolète	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mohms à 3,3A, 10V	3V à 250µA	3 nC @ 5 V	±20V	182 pF @ 10 V	Diode Schottky (isolée)	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
DMN2044UCB4-7 MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4 Diodes Incorporated	150 En stock 957 000 Usine	1 : 1,26000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,29356 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3,3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	40mohms à 1,5A, 4,5V	900mV à 250µA	47 nC @ 8 V	±8V	1400 pF @ 10 V	-	720mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	U-WLB1010-4	4-UFBGA, WLBGA
DMP4047LFDE-7-W MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN Diodes Incorporated	907 En stock	1 : 0,63000 $ Bande coupée (CT) 3 000 : 0,26926 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	33mohms à 4,4A, 10V	2,2V à 250µA	23.2 nC @ 10 V	±20V	1382 pF @ 20 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	U-DFN2020-6 (Type E)	6-PowerUDFN
DMP3068L-13 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,52000 $ Bande coupée (CT) 10 000 : 0,09124 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mohms à 4,2A, 10V	1,3V à 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3165LQ-13 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Diodes Incorporated	0 En stock 80 000 Usine Vérifier le délai d'approvisionnement	10 000 : 0,10782 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	90mohms à 2,7A, 10V	2,1V à 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3448_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	3 000 : 0,11646 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	71mohms à 3,3A, 10V	2,1V à 250µA	6.1 nC @ 10 V	±20V	241 pF @ 20 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJL9452A_R2_00001 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Panjit International Inc.	0 En stock	2 500 : 0,28644 $ Bande et bobine	-	Bande et bobine	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	3,3 A (Ta)	4,5V, 10V	115mohms à 3,3A, 10V	2,5V à 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1413 pF @ 25 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOP	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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