


NTH4L014N120M3P | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5556-NTH4L014N120M3P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTH4L014N120M3P |
Description | SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 127A (Tc) 686W (Tc) Trou traversant TO-247-4L |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,63V à 37mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 329 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +22V, -10V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6230 pF @ 800 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 686W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-4L |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 74A, 18V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H18HM4 | Diodes Incorporated | 20 | 31-DMWSH120H18HM4-ND | 48,02000 $ | Similaire |
| DMWSH120H18HM4Q | Diodes Incorporated | 30 | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND | 59,23000 $ | Similaire |
| DMWSH120H23SM4 | Diodes Incorporated | 30 | 31-DMWSH120H23SM4-ND | 46,37000 $ | Similaire |
| DMWSH120H28SM4 | Diodes Incorporated | 25 | 31-DMWSH120H28SM4-ND | 46,37000 $ | Similaire |
| IMYR140R008M2HXLSA1 | Infineon Technologies | 239 | 448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND | 62,82000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 48,45000 $ | 48,45 $ |
| 10 | 35,49600 $ | 354,96 $ |
| 450 | 28,36380 $ | 12 763,71 $ |



