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DMWSH120H18HM4Q | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMWSH120H18HM4Q |
Description | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 108 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 158 nC @ 18 V |
Fabricant | Vgs (max.) +22V, -10V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4206 pF @ 800 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 313W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Trou traversant |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Boîtier fournisseur TO-247-4 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 75A, 18V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 37mA |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 59,23000 $ | 59,23 $ |
| 30 | 39,18733 $ | 1 175,62 $ |
| 120 | 36,48058 $ | 4 377,67 $ |
