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FQD9N25TM est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FQD9N25TM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQD9N25TMTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQD9N25TM |
Description | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 250 V 7,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 55W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 55W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 250 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 420mohms à 3,7A, 10V |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD16N25CTM | onsemi | 110 518 | FQD16N25CTMCT-ND | 2,96000 $ | Recommandation fabricant |
| IPD5N25S3430ATMA1 | Infineon Technologies | 5 414 | 448-IPD5N25S3430ATMA1CT-ND | 3,26000 $ | Similaire |
| STD16NF25 | STMicroelectronics | 0 | 497-7959-1-ND | 4,00000 $ | Similaire |
| STD8NF25 | STMicroelectronics | 3 983 | 497-13090-1-ND | 2,09000 $ | Similaire |
Obsolète
