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FQB10N50CFTM-WS | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FQB10N50CFTM-WS |
Description | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 10 A (Tc) 143W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FQB10N50CFTM-WS Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2210 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 143W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 610mohms à 5A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB20N50F | onsemi | 14 322 | FDB20N50FCT-ND | 7,55000 $ | Recommandation fabricant |
| IXFA12N50P | IXYS | 278 | IXFA12N50P-ND | 9,53000 $ | Similaire |
| IXTA12N50P | IXYS | 0 | 238-IXTA12N50P-ND | 9,12000 $ | Similaire |
| IXTA15N50L2 | IXYS | 91 | IXTA15N50L2-ND | 27,98000 $ | Similaire |
| IXTA6N50D2 | IXYS | 641 | 238-IXTA6N50D2-ND | 19,14000 $ | Similaire |
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