


FDP2D3N10C | |
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Numéro de produit DigiKey | FDP2D3N10C-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDP2D3N10C |
Description | MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 222 A (Tc) 214W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDP2D3N10C Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 700µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 152 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11180 pF @ 50 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 214W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 100A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 11,77000 $ | 11,77 $ |
| 50 | 6,36360 $ | 318,18 $ |
| 100 | 5,84210 $ | 584,21 $ |
| 500 | 4,97118 $ | 2 485,59 $ |


