


FDP039N08B-F102 | |
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Numéro de produit DigiKey | FDP039N08B-F102-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDP039N08B-F102 |
Description | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDP039N08B-F102 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 133 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9450 pF @ 40 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 214W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 100A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 236 | TK65E10N1S1X-ND | 6,99000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 14,14000 $ | 14,14 $ |
| 10 | 9,68900 $ | 96,89 $ |
| 100 | 7,16950 $ | 716,95 $ |
| 800 | 6,33473 $ | 5 067,78 $ |

