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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FCH190N65F-F085 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCH190N65F-F085-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCH190N65F-F085 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FCH190N65F-F085 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 82 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3181 pF @ 25 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 27A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NVHL110N65S3F | onsemi | 191 | NVHL110N65S3FOS-ND | 10,95000 $ | Direct |
| APT34M60B | Microchip Technology | 0 | APT34M60B-ND | 17,68000 $ | Similaire |
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 74 | IPW60R160P6FKSA1-ND | 7,28000 $ | Similaire |
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 158 | 448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND | 6,68000 $ | Similaire |
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 162 | 448-IPW60R180C7XKSA1-ND | 7,12000 $ | Similaire |
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