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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPW60R190C6FKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPW60R190C6FKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPW60R190C6FKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPW60R190C6FKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 630µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 9,5A, 10V |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STW28N60DM2 | STMicroelectronics | 553 | 497-16350-5-ND | 7,84000 $ | Direct |
| FCH170N60 | onsemi | 182 | FCH170N60-ND | 10,16000 $ | Similaire |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | 11,50000 $ | Similaire |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | 22,02000 $ | Similaire |
| IXFH42N60P3 | IXYS | 0 | IXFH42N60P3-ND | 19,11000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,42000 $ | 7,42 $ |
| 30 | 4,11367 $ | 123,41 $ |
| 120 | 3,38500 $ | 406,20 $ |
| 510 | 2,85069 $ | 1 453,85 $ |
| 1 020 | 2,65569 $ | 2 708,80 $ |
| 2 010 | 2,49501 $ | 5 014,97 $ |
| 5 010 | 2,44622 $ | 12 255,56 $ |
