2N7002LT1H onsemi | FET, MOSFET simples

2N7002LT1H est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Recommandation fabricant

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 0,35000 $

Similaire

Diodes Incorporated

En stock: 298

Prix unitaire : 0,35000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

2N7002LT1H
Numéro de produit DigiKey	2N7002LT1H-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	2N7002LT1H
Description	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2N7002LT1H Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs (max.) ±20V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 50 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine	Dissipation de puissance (max.) 225mW (Ta)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 115mA (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,5ohms à 500mA, 10V	Numéro de produit de base 2N7002
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA