PSMN2R8-80SSFJ Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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PSMN2R8-80SSFJ
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN2R8-80SSFJTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN2R8-80SSFJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN2R8-80SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN2R8-80SSFJ
Description	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 190A (Ta) 341W (Ta) Montage en surface LFPAK88 (SOT1235)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 143 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10088 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 341W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 190A (Ta)	Boîtier fournisseur LFPAK88 (SOT1235)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier SOT-1235
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 25A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT)

PSMN2R8-80SSFJ