Name: GAN190-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650EBEZTR-ND
Price: 9.52 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GAN190-650EBEZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN190-650EBEZTR-ND - Bande et bobine 1727-GAN190-650EBEZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GAN190-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN190-650EBEZ
Description	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11,5 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles DFN8080-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 12,2mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2.8 nC @ 6 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +7V, -1,4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 96 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur DFN8080-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V	Boîtier 8-VDFN plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 3,9A, 6V	Numéro de produit de base GAN190