GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

GAN063-650WSAQ est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Nexperia USA Inc.

En stock: 175

Prix unitaire : 22,93000 $

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GAN063-650WSAQ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN063-650WSAQ
Description	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 34,5 A (Tc) 143W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	GAN063-650WSAQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 143W (Tc)
Technologies GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 34,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base GAN063