Name: MSC180SMA120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC180SMA120B4N-ND
Price: 9.82 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

MSC180SMA120B4N
Numéro de produit DigiKey	150-MSC180SMA120B4N-ND
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	MSC180SMA120B4N
Description	MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 21 A (Tc) 147W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	MSiC™ MA
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	225mohms à 8A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+23V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	481 pF @ 1.2 kV
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	147W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4