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Canal N 1000 V 8 A (Tc) 290W (Tc) Trou traversant TO-247 [B]
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

APT8M100B

Numéro de produit DigiKey
APT8M100B-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
APT8M100B
Description
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 8 A (Tc) 290W (Tc) Trou traversant TO-247 [B]
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,8ohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1885 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247 [B]
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
APT8M100
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,40000 $6,40 $
1005,20170 $520,17 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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