Canal N 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Trou traversant TO-247-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQH8N100C

Numéro de produit DigiKey
FQH8N100C-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FQH8N100C
Description
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
17 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 8 A (Tc) 225W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
QFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,45ohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3220 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
225W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
FQH8N100
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 344
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
19,50000 $9,50 $
305,39367 $161,81 $
1204,49100 $538,92 $
5103,82941 $1 953,00 $
1 0203,72325 $3 797,72 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.