IXTU12N06T IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXTU12N06T est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 3 000

Prix unitaire : 1,61000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXTU12N06T
Numéro de produit DigiKey	IXTU12N06T-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTU12N06T
Description	MOSFET N-CH 60V 12A TO251
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant TO-251AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Trench
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	256 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-251AA
Boîtier	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Numéro de produit de base	IXTU12