
IXTP8N65X2M | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTP8N65X2M-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTP8N65X2M |
Description | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 32W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 550mohms à 4A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP600N60Z | onsemi | 143 | FCP600N60ZOS-ND | 4,81000 $ | Similaire |
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 945 | SPP07N60C3XKSA1-ND | 4,74000 $ | Similaire |
| STP10NM60ND | STMicroelectronics | 626 | 497-12276-ND | 4,24000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,41000 $ | 7,41 $ |
| 50 | 3,80680 $ | 190,34 $ |
| 100 | 3,45900 $ | 345,90 $ |
| 500 | 2,84982 $ | 1 424,91 $ |
| 1 000 | 2,65421 $ | 2 654,21 $ |
| 2 000 | 2,48984 $ | 4 979,68 $ |
| 5 000 | 2,43929 $ | 12 196,45 $ |

