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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTP08N100D2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXTP08N100D2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTP08N100D2 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IXTP08N100D2 cms-models |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.6 nC @ 5 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF @ 25 V |
Conditionnement Tube | Dissipation de puissance (max.) 60W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Type de montage Trou traversant |
Technologies | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Tension drain-source (Vdss) 1000 V | Boîtier |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 21ohms à 400mA, 0V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,71000 $ | 6,71 $ |
| 50 | 3,42060 $ | 171,03 $ |
| 100 | 3,10230 $ | 310,23 $ |
| 500 | 2,54458 $ | 1 272,29 $ |
| 1 000 | 2,36547 $ | 2 365,47 $ |
| 2 000 | 2,21491 $ | 4 429,82 $ |
| 5 000 | 2,13590 $ | 10 679,50 $ |
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