
IXTP08N100D2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXTP08N100D2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTP08N100D2 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IXTP08N100D2 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | - | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 21ohms à 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 325 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 60W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-220-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,70000 $ | 5,70 $ |
| 50 | 2,88160 $ | 144,08 $ |
| 100 | 2,60830 $ | 260,83 $ |
| 500 | 2,12936 $ | 1 064,68 $ |
| 1 000 | 1,97551 $ | 1 975,51 $ |
| 2 000 | 1,87260 $ | 3 745,20 $ |











