Canal N, mode de déplétion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
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LND150N3-G

Numéro de produit DigiKey
LND150N3-G-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
LND150N3-G
Description
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N, mode de déplétion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
LND150N3-G Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
1000ohms à 500µA, 0V
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Sac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
10 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Ta)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
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Sac
Quantité Prix unitaire Prix total
10,87000 $0,87 $
250,75120 $18,78 $
1000,66460 $66,46 $