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Recommandation fabricant

IXTP08N100P
IXYS
En stock: 209
Prix unitaire : 5,59000 $
Fiche technique
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Canal N 1000 V 500mA (Tc) 50W (Tc) Trou traversant TO-220-3
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IXTP05N100P

Numéro de produit DigiKey
IXTP05N100P-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTP05N100P
Description
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 500mA (Tc) 50W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
Polar
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
500mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
30ohms à 250mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
196 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXTP05
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Obsolète
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