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IXTH30N60L2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXTH30N60L2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTH30N60L2 |
Description | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 46 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 30 A (Tc) 540W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IXTH30N60L2 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 335 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10700 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 540W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 240mohms à 15A, 10V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F60B | Microchip Technology | 0 | APT34F60B-ND | 18,94475 $ | Similaire |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | 82 | 448-IPW60R125C6FKSA1-ND | 11,49000 $ | Similaire |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | 7,17000 $ | Similaire |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1 808 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 11,41000 $ | Similaire |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 36 | 497-15284-5-ND | 6,22000 $ | Similaire |
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 37,61000 $ | 37,61 $ |
| 30 | 23,88433 $ | 716,53 $ |
| 120 | 20,88292 $ | 2 505,95 $ |
| 510 | 20,52322 $ | 10 466,84 $ |
