IXTA1N80 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IXTA1R4N100P
IXYS
En stock: 455
Prix unitaire : 6,66000 $
Fiche technique
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Canal N 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Montage en surface TO-263AA
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IXTA1N80

Numéro de produit DigiKey
IXTA1N80-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTA1N80
Description
MOSFET N-CH 800V 750MA TO263
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Montage en surface TO-263AA
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
750mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
220 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263AA
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA1
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Obsolète
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