IXFP8N50P3 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXFP8N50P3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

IXYS

En stock: 241

Prix unitaire : 7,54000 $

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXFP8N50P3
Numéro de produit DigiKey	IXFP8N50P3-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFP8N50P3
Description	MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 8 A (Tc) 180W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	800mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	705 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	180W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IXFP8N50