Name: SPP24N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPP24N60C3XKSA1-ND
Price: 8.22 CAD
Availability: InStock

Canal N 650 V 24,3 A (Tc) 240W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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SPP24N60C3XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-SPP24N60C3XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPP24N60C3XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24,3 A (Tc) 240W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPP24N60C3XKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1,2mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 25 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 240W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24,3 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SPP24N60
Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohms à 15,4A, 10V

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Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPP60R180C7XKSA1	Infineon Technologies	37	IPP60R180C7XKSA1-ND	5,61000 $	Recommandation fabricant
FCP165N60E	onsemi	1 034	FCP165N60E-ND	8,01000 $	Direct
FCP170N60	onsemi	790	FCP170N60-ND	11,01000 $	Direct
SIHP28N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP28N65EF-GE3-ND	5,50476 $	Direct
FCP190N65F	onsemi	569	FCP190N65F-ND	8,59000 $	Similaire

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	8,22000 $	8,22 $

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