
SPP20N60S5XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP20N60S5XKSA1 |
Description | HIGH POWER_LEGACY |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP20N60S5XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 103 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3000 pF @ 25 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 13A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | 9,87000 $ | Similaire |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | 10,60000 $ | Similaire |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | 4,04270 $ | Similaire |
| STP26N60M2 | STMicroelectronics | 0 | STP26N60M2-ND | 2,14356 $ | Similaire |
| STP28N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-STP28N65M2-ND | 6,22000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 8,01000 $ | 8,01 $ |
| 50 | 4,14520 $ | 207,26 $ |
| 100 | 3,77240 $ | 377,24 $ |
| 500 | 3,11912 $ | 1 559,56 $ |
| 1 000 | 2,90936 $ | 2 909,36 $ |
| 2 000 | 2,73309 $ | 5 466,18 $ |
| 5 000 | 2,71054 $ | 13 552,70 $ |

