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Fiche technique
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Canal N 75 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
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SPP100N08S2L-07

Numéro de produit DigiKey
SPP100N08S2L-07-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
SPP100N08S2L-07
Description
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,8mohms à 68A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
246 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7130 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3-1
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP100N
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Obsolète
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