Name: SPP04N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP04N80C3XKSA1-ND
Price: 3.34 CAD
Availability: OutOfStock

SPP04N80C3XKSA1
Numéro de produit DigiKey	SPP04N80C3XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPP04N80C3XKSA1
Description	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 4 A (Tc) 63W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPP04N80C3XKSA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,3ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 240µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	570 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	SPP04N80

SPP04N80C3XKSA1