Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 7.33 CAD
Availability: InStock

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SPB21N50C3ATMA1
Numéro de produit DigiKey	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - Bande et bobine SPB21N50C3ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPB21N50C3ATMA1
Description	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 560 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPB21N50C3ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 560 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SPB21N50
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 13,1A, 10V

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Conditionnement standard du fabricant

SPB21N50C3ATMA1