IRLML2502GTRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Infineon Technologies
En stock: 37 338
Prix unitaire : 0,78000 $
Fiche technique

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En stock: 28 063
Prix unitaire : 0,51000 $
Fiche technique

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onsemi
En stock: 32 129
Prix unitaire : 1,12000 $
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 16 624
Prix unitaire : 0,85000 $
Fiche technique
SOT-23-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRLML2502GTRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRLML2502GTRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRLML2502GTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRLML2502GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRLML2502GTRPBF
Description
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 4,2 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface Micro3™/SOT-23
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
45mohms à 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
740 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,25W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
Micro3™/SOT-23
Boîtier
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.