Name: IRLB4030PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLB4030PBF-ND
Price: 6.33 CAD
Availability: InStock

Canal N 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRLB4030PBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRLB4030PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLB4030PBF
Description	MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLB4030PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC @ 4.5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11360 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 370W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRLB4030
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 110A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 8 934

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,33000 $	6,33 $
10	4,15200 $	41,52 $
100	2,91150 $	291,15 $
500	2,38182 $	1 190,91 $
1 000	2,21170 $	2 211,70 $
2 000	2,06872 $	4 137,44 $
5 000	1,97611 $	9 880,55 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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