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Canal N 200 V 31 A (Tc) 3,1W (Ta), 200W (Tc) Montage en surface D2PAK
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IRFS31N20DPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFS31N20DPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFS31N20DPBF
Description
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 31 A (Tc) 3,1W (Ta), 200W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
82mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2370 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,1W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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