Name: IRFB7730PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB7730PBF-ND
Price: 7.18 CAD
Availability: InStock

Canal N 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRFB7730PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFB7730PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB7730PBF
Description	MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB7730PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 407 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13660 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IRFB7730
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,6mohms à 100A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,18000 $	7,18 $
50	3,62940 $	181,47 $
100	3,28610 $	328,61 $
500	2,68448 $	1 342,24 $
1 000	2,49123 $	2 491,23 $
2 000	2,32880 $	4 657,60 $
5 000	2,15319 $	10 765,95 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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