Name: IRFB4127PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4127PBF-ND
Price: 6.27 CAD
Availability: InStock

Canal N 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRFB4127PBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRFB4127PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB4127PBF
Description	MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB4127PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5380 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 76 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFB4127
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 44A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 1 886

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,27000 $	6,27 $
10	4,11200 $	41,12 $
100	2,88210 $	288,21 $
500	2,35682 $	1 178,41 $
1 000	2,18808 $	2 188,08 $
2 000	2,04626 $	4 092,52 $
5 000	1,95166 $	9 758,30 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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