Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBF-ND
Price: 5.21 CAD
Availability: InStock

Canal N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRFB4110PBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRFB4110PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB4110PBF
Description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB4110PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9620 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 370W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFB4110
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohms à 75A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,21000 $	5,21 $
50	2,59660 $	129,83 $
100	2,34350 $	234,35 $
500	1,90012 $	950,06 $
1 000	1,75764 $	1 757,64 $
2 000	1,63786 $	3 275,72 $
5 000	1,51255 $	7 562,75 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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