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Canal N 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-220AB
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IRFB3206GPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFB3206GPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFB3206GPBF
Description
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3mohms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6540 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRFB3206
Questions et réponses sur les produits

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Dernière disponibilité
Date de dernière disponibilité : 2026-05-31
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0002,15586 $2 155,86 $
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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