IRF60SC241ARMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IRF60SC241ARMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 233

Prix unitaire : 6,91000 $

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IRF60SC241ARMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF60SC241ARMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IRF60SC241ARMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF60SC241ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF60SC241ARMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 360 A (Tc) 2,4W (Ta), 417W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF60SC241ARMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,7V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 388 nC @ 10 V
Série StrongIRFET™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 16000 pF @ 30 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,4W (Ta), 417W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 360 A (Tc)	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IRF60SC241
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,3mohms à 100A, 10V